参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSC016N04LS G
说明	功率MOSFET   5.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	313 [库存更新时间：2025-04-09]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	12000pF @ 20V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	40V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	150nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	100A
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.3mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	150nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	139W
高度	1.27mm
长度	5.9mm
系列	OptiMOS3
FET类型	N-Channel
宽度	5.15mm
正向跨导 - 最小值	95S
下降时间	9.4ns
上升时间	7.6ns
典型关闭延迟时间	56ns
典型接通延迟时间	14ns